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RoHS檢測(cè)
能量色散X熒光光譜儀
型號(hào)：EDX6000C
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產(chǎn)品說(shuō)明、技術(shù)參數(shù)及配置
該儀器配置大面積石墨烯超薄窗口的電制冷半導(dǎo)體SDD檢測(cè)器、超近低損耗測(cè)試光路、高精度微焦斑X射線激發(fā)光源、PLC(單杯位、9杯位、12杯位、20杯位)控制多樣品腔系統(tǒng)、真空和氦氣二合一系統(tǒng)、樣品自旋系統(tǒng)、儀器三重安全防護(hù)系統(tǒng)(探測(cè)器防扎功能、高壓鑰匙保護(hù)、樣品蓋自鎖功能)。儀器單樣品腔及多樣品腔進(jìn)樣兩種模式完美結(jié)合,軟件配套天瑞新研發(fā)成果XRF成份分析軟件4.0版本和RoHS5.0版本全智能版本軟件,實(shí)現(xiàn)液體、固體一鍵測(cè)試功能,強(qiáng)大的智能算法可自動(dòng)識(shí)別樣品材質(zhì)和自動(dòng)選擇相應(yīng)曲線,真正的做到多杯位樣品智能自動(dòng)檢測(cè)。
儀器使用運(yùn)行成本低、提升維護(hù)性能的同時(shí),大大提高了便捷性。該產(chǎn)品可以應(yīng)對(duì)從RoHS/ELV指令/玩具指令等的管控法規(guī)限制的產(chǎn)品管理到普通材料分析的日常研究,從電子電氣材料到金屬成分分析、汽車(chē)機(jī)械檢測(cè)、石油化工元素分析、醫(yī)藥食品管控、地質(zhì)礦元素分析、水泥、耐火材料、玻璃等多個(gè)行業(yè)的元素分析領(lǐng)域。
性能優(yōu)異,卓爾不群
大面積石墨烯超薄窗口的電制冷半導(dǎo)體SDD檢測(cè)器,4096道高速數(shù)字處理多道及高功率高管壓高壓和激發(fā)光源與分析光路最佳配合,可獲得超高靈敏度。與以往機(jī)型相比,元素范圍拓展到F元素,元素檢測(cè)下限可提升5~10倍,檢出限低至0.2ppm(輕基體),計(jì)數(shù)率可提高至300KCPS,可應(yīng)對(duì)高要求的檢測(cè)需求,提升分析結(jié)果的可靠性。
智能切換，測(cè)試無(wú)憂
人工智能樣品識(shí)別系統(tǒng)配合全匹配分析模式,確保樣品檢測(cè)一個(gè)動(dòng)作完成,免去人為選擇曲線造成的誤差。多重背景模擬功能,幫助去除樣品差異帶來(lái)的偏差。強(qiáng)大的智能算法可自動(dòng)識(shí)別樣品材質(zhì)和自動(dòng)選擇相應(yīng)曲線,真正的做到多杯位樣品智能自動(dòng)檢測(cè)。粉末抽真空及液體充氦氣測(cè)輕元素,軟件實(shí)現(xiàn)雙氣路一鍵切換,徹底解決普通XRF無(wú)法在液體測(cè)輕元素。
多重防護(hù),安全無(wú)憂
探測(cè)器保護(hù)裝置在儀器測(cè)試完后關(guān)閉探測(cè)器窗口,防止探測(cè)器窗口被扎;儀器的防護(hù)蓋、防護(hù)電磁鎖與X光管高壓聯(lián)動(dòng),測(cè)試過(guò)程中無(wú)法打開(kāi)樣品腔蓋,防止誤操作打開(kāi)蓋子時(shí)瞬時(shí)X射線對(duì)操作人員的傷害。軟件誤操作提醒,儀器三維迷宮式設(shè)計(jì)、電子互鎖感應(yīng)、機(jī)械隔離安全鎖防護(hù)、軟件異常中斷等多重X射線防護(hù)措施確保使用人員安全。
自旋進(jìn)樣,無(wú)人值守
配備PLC(9杯位、12杯位、20杯位)控制多樣品腔系統(tǒng)可供選擇,12杯位和20杯位可1秒切換成單樣品腔體,滿足大小樣品測(cè)試需求。9杯位自旋系統(tǒng)可提高非均一性樣品元素測(cè)試。多杯位樣品腔進(jìn)樣節(jié)約50%的設(shè)備成本,通過(guò)人機(jī)協(xié)作可提高50%的人工效率。
應(yīng)用領(lǐng)域
1、ROHS、ELV、玩具安全、鞋材皮革等有害元素檢測(cè)分析
2、環(huán)境土壤、固廢、土壤修復(fù)等元素測(cè)定
3、地址礦產(chǎn)分析
4、合金(銅、不銹鋼等)成分分析
5、金屬鍍層的厚度測(cè)量、電鍍液和鍍層含量的測(cè)定
6、黃金、鉑、銀等貴金屬和各種首飾的含量檢測(cè)
7、石油化工產(chǎn)品含量分析
8、水泥、耐火材料、玻璃等建材行業(yè)的元素分析領(lǐng)域
9、飼料、肥料等有益有害元素測(cè)定
10、其他無(wú)機(jī)元素分析行業(yè)等等
主要技術(shù)參數(shù)
測(cè)試范圍：元素周期表F9-U92之間的元素。
光源系統(tǒng)
最大功率50W；最大激發(fā)電壓50kV；最大激發(fā)電流1mA。
探測(cè)器
類(lèi)型：硅漂移探測(cè)器（SDD）。
能量分辨率：≤141eV @ Mn Kα100kcps。
探測(cè)器晶體面積：≥25mm2。
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